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1，增強氧化速度，能使氧化速率提升 10%~15%。
 

2，鈍化可動離子，特別是Na+，K+，鈉，鉀離子在電場作用下移動到硅片表面，影響電學特性，導致器件不穩定。而摻氯可固定可動離子，避免其移動。
 

3，中和Si-SiO2界面處電荷，減少氧化層缺陷。